Транзистор FDD6685

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 17 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO252