Транзистор SP8J5

Транзистор SP8J5

Артикул: 312033

Привод 4 В Pch+Pch MOS FET

16,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
312033

Просмотренные товары

Транзистор 2SB1625
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1625

275083
9,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60...
View
Транзистор П701А
Транзисторы отечественные

Транзистор П701А

259853
9,90 BYN
Транзисторы П701А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные.Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 12 г, с крепежным фланцем - не более 16 г.
View
Транзистор 2SC2456
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2456

303612
4,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор TPC8032
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8032

276748
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SC536
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC536

304134
1,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDS8884
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8884

276345
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор AOD4126 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AOD4126 dpak (to252)

293025
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 43 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Транзистор IRFD320
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD320

276445
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор RD01MUS2 sot89
Полевые транзисторы

Транзистор RD01MUS2 sot89

293352
15,60 BYN
Наименование прибора: RD01MUS2 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Тип корпуса: SOT-89 Аналог...
View
Транзистор STP4NB80FP
Полевые транзисторы

Транзистор STP4NB80FP

312050
5,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор K2679
Полевые транзисторы

Транзистор K2679

276598
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm Тип корпуса: TO220NIS
View
Транзистор K4110
Полевые транзисторы

Транзистор K4110

276642
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 28 nC Время нарастания (tr): 20 ns...
View
Транзистор 2SK3850 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3850 dpak (to252)

292992
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 15 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 29 pf...
View
Транзистор IRF8313
Полевые транзисторы

Транзистор IRF8313

276418
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.7 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0155 Ohm Тип корпуса: SO8
View
Транзистор IRFD220
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD220

276443
1,04 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.