Транзистор BSP89H6327XTSA1

Транзистор BSP89H6327XTSA1

Артикул: 304157

 Труба MOS

6,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Номинальная Мощность1.8 W

Количество Стежков4

Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)4.2 Ω

ПолярностьN-Channel

Рассеяние Мощности1.8 W

Пороговое Напряжение1.4 V

Напряжение Сток-исток (Vds)240 V

Непрерывный Ток Стока (Ids)0.35A

Время Нарастания3.5 ns

Входная емкость (Ciss)80pF @25V(Vds)

Время падения18.4 ns

Рабочая температура (Макс)150 ℃

Рабочая температура (мин)-55 ℃

Рассеиваемая Мощность (Макс)1.8W (Ta)

пакет

Стиль МонтажаSurface Mount

Количество Выводов4

Корпус/ПакетSOT-223-4

размеры

Длина6.5 mm

Ширина3.5 mm

Высота1.6 mm

Корпус/ПакетSOT-223-4

физическое

Рабочая Температура-55℃ ~ 150℃

304157

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFP31N50L (P31N50L)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP31N50L (P31N50L)

266059
22,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 460 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 31 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK2148
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2148

304762
20,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 60 ns Выходная емкость (Cd): 220 pf...
View
Транзистор 2SK369V
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK369V

304870
21,60 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 40 Ohm Тип корпуса: TO92
View
Транзистор IRG4BC30W-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC30W-S

276498
6,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: D2PAK
View
Транзистор 2SK2480
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2480

304794
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 30 nC Время нарастания (tr): 7 ns...
View
Транзистор IRG4PC50S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4PC50S

276504
15,76 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41A Максимальная температура перехода (Tj): 175 Корпус: TO247AC
View
Транзистор 2SJ177
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ177

304658
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 125 ns Выходная емкость (Cd): 990 pf...
View
Транзистор AO3414
Полевые транзисторы

Транзистор AO3414

293007
1,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор IRG4BC20U
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC20U

276492
12,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: TO220AB
View
Транзистор R6015ANX
Полевые транзисторы

Транзистор R6015ANX

276681
11,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор APM2030N
Полевые транзисторы

Транзистор APM2030N

276246
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.