Транзистор BF999E6327HTSA1

Транзистор BF999E6327HTSA1

Артикул: 304091

Труба MOS

3,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Частота45 MHz

Номинальное Напряжение (DC)20.0 V

Номинальный Ток30 mA

Количество Стежков3

Рассеяние Мощности200 mW

Входная Ёмкость2.50 pF

Напряжение Сток-исток (Vds)20 V

Непрерывный Ток Стока (Ids)30.0 mA

Усиление27 dB

Испытательный ток10 mA

Входная емкость (Ciss)2.5pF @10V(Vds)

Рабочая температура (Макс)150 ℃

Рабочая температура (мин)-55 ℃

Рассеиваемая Мощность (Макс)200 mW

Уровень напряжения20 V

пакет

Стиль МонтажаSurface Mount

Количество Выводов3

Корпус/ПакетSOT-23-3

размеры

Длина2.9 mm

Ширина1.3 mm

Высота0.9 mm

Корпус/ПакетSOT-23-3

физическое

МатериалSilicon

Рабочая Температура-55℃ ~ 150℃

304091

Просмотренные товары

Транзистор 2Т877Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т877Б

300812
27,00 BYN
 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные универсальные.Транзисторы 2Т877А, 2Т877Б, 2Т877В, 2Т877Г предназначены для применения в усилительных и переключающих устройствах.Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.Тип корпуса:...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K2277
Полевые транзисторы

Транзистор K2277

276585
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 30 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор APM2509N
Полевые транзисторы

Транзистор APM2509N

276249
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 12P10 (FQPF12P10) to-220f
Полевые транзисторы

Транзистор 12P10 (FQPF12P10) to-220f

265397
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 160 ns Выходная емкость (Cd): 220...
Транзистор 2SK2237
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2237

304773
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 360 pf...
Транзистор TK4P60D
Полевые транзисторы

Транзистор TK4P60D

276739
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDD8451
Полевые транзисторы

Транзистор FDD8451

293102
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFP044N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP044N

259917
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 49 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K669
Полевые транзисторы

Транзистор K669

276647
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.1 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Выходная емкость (Cd): 6 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2SK4086 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4086 to220f

292996
8,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор H50N03 ipak (to251)
Полевые транзисторы

Транзистор H50N03 ipak (to251)

293204
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 280 pf Сопротивление сток-исток...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.