Транзистор IRLR8726PBF

Транзистор IRLR8726PBF

Артикул: 303714
3,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.35 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 86 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Время нарастания (tr): 49 ns

Выходная емкость (Cd): 480 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO252

303714

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IPA60R280E6
Полевые транзисторы

Транзистор IPA60R280E6

311928
13,00 BYN
Маркировка: 6R280E6 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.8 A Максимальная температура канала...
Транзистор 2SK3307
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3307

304851
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 90 nC Время нарастания (tr): 1260...
Транзистор AP9973M
Полевые транзисторы

Транзистор AP9973M

276236
6,00 BYN
Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор IRFD110
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD110

276441
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFP90N20D
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP90N20D

276115
17,00 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 650 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 98 AСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
Транзистор AP9563GH
Полевые транзисторы

Транзистор AP9563GH

295039
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 26 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 140 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.