Транзистор IRF1310NPBF

Транзистор IRF1310NPBF

Артикул: 303041

Труба MOS

8,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Номинальное Напряжение (DC)
100 V
Номинальный Ток
42.0 A
Количество Каналов
1
Количество Стежков
3
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
36 mΩ
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
160 W
Серия Деталей
IRF1310N
Пороговое Напряжение
4 V
Входная Ёмкость
1900pF @25V
Напряжение Сток-исток (Vds)
100 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
100 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
42.0 A
Время Нарастания
56.0 ns
Входная емкость (Ciss)
1900pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
160 W
Рабочая температура (Макс)
175 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.54 mm
Ширина
4.4 mm
Высота
15.24 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 175℃
303041

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFBA90N20D
Полевые транзисторы

Транзистор IRFBA90N20D

311957
30,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 650 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 98 A Общий заряд затвора (Qg): 160 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm Тип...
Транзистор 2SK1461
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1461

292957
18,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 35 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
Транзистор 2SK3532
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3532

292985
14,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 8 ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор IRF9520N
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9520N

259910
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 18 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор AOD4144
Полевые транзисторы

Транзистор AOD4144

311837
5,20 BYN
Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 23 nC Время...
Транзистор 80NF55L-06T4
Полевые транзисторы

Транзистор 80NF55L-06T4

276098
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор AO4620
Полевые транзисторы

Транзистор AO4620

276158
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2(5.3) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SK3047
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3047

304837
45,20 BYN
Маркировка: K3047 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор K2759-01MR
Полевые транзисторы

Транзистор K2759-01MR

276603
14,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 35 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 110 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор AO4421
Полевые транзисторы

Транзистор AO4421

276142
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор FDMC6675BZ
Полевые транзисторы

Транзистор FDMC6675BZ

311879
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRF1407
Полевые транзисторы

Транзистор IRF1407

259862
10,00 BYN
ярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 130 A Общий заряд затвора (Qg): 160 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0078 Ohm Тип корпуса: TO220AB
Транзистор STP120NF10 (120NF10)
Полевые транзисторы

Транзистор STP120NF10 (120NF10)

265449
13,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.