Транзистор 2N7002BKS.115

Транзистор 2N7002BKS.115

Артикул: 302839

Труба MOS 

2,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Количество Каналов
2
Полярность
N-CH
Рассеяние Мощности
0.445 W
Напряжение Сток-исток (Vds)
60 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
0.3A
Время Нарастания
6 ns
Входная емкость (Ciss)
50pF @10V(Vds)
Максимальная входная мощность
295 mW
Время падения
7 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
295 mW
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Количество Выводов
6
Корпус/Пакет
SOT-363-6
размеры
Длина
2.2 mm
Ширина
1.35 mm
Высота
1 mm
Корпус/Пакет
SOT-363-6
физическое
Рабочая Температура
150℃ (TJ)
302839

Просмотренные товары

Стеклотекстолит гибкий 0,25 х 690 х 800 мм
Стеклотекстолит листовой СТЭФ

Стеклотекстолит гибкий 0,25 х 690 х 800 мм

14180
27,00 BYN
Марка стеклотекстолита СТЭФ — базовая марка, самая востребованная за счет сочетания более низкой стоимости в сравнении с другими марками стеклотекстолита и оптимальным сочетанием характеристик.Марка СТЭФ, имея хорошие электроизоляционные свойства, получила широкое применение в сфере производства электрооборудования и электротехники.

В этой категории 16 товаров:

Транзистор APM4008N
Полевые транзисторы

Транзистор APM4008N

276252
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 260 pf...
Транзистор K2221 ( хорошая замена 2SK1530 )
Полевые транзисторы

Транзистор K2221 ( хорошая замена 2SK1530 )

276580
29,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 800 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор 26NM50
Полевые транзисторы

Транзистор 26NM50

275968
14,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K2475
Полевые транзисторы

Транзистор K2475

276588
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 90* ns Выходная емкость (Cd): 270 pf...
Транзистор AO4422
Полевые транзисторы

Транзистор AO4422

293010
3,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор PB210BD dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор PB210BD dpak (to252)

293345
4,80 BYN
Наименование прибора: PB210BD Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 330 ns...
Транзистор RFD3055LE
Полевые транзисторы

Транзистор RFD3055LE

312027
4,60 BYN
Маркировка: F3055L Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A Максимальная температура канала (Tj): 175...
Транзистор IRG4BC40K
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC40K

276499
14,96 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.6V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: TO220AB
Транзистор TPC8107
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8107

293442
9,20 BYN
Наименование прибора: TPC8107 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 130...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.