Транзистор STP16NK60Z

Транзистор STP16NK60Z

Артикул: 302583

Труба MOS

21,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
600 V
Номинальный Ток
14.0 A
Количество Каналов
1
Количество Стежков
3
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
420 mΩ
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
190 W
Пороговое Напряжение
3.75 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
600 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
600 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
14.0 A
Время Нарастания
25 ns
Входная емкость (Ciss)
2650pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
190 W
Время падения
15 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
190W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.4 mm
Ширина
4.6 mm
Высота
15.75 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
150℃ (TJ)
302583

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AO4826
Полевые транзисторы

Транзистор AO4826

311834
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRF841
Полевые транзисторы

Транзистор IRF841

276421
2,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 1500 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор FDS4953
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4953

266098
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.053 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор 6R385 P
Полевые транзисторы

Транзистор 6R385 P

276082
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AF4835
Полевые транзисторы

Транзистор AF4835

293006
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018...
Транзистор AP9960GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP9960GM

276229
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.8 A Время нарастания (tr): 6.3 ns Выходная емкость (Cd): 235 pf...
Транзистор FDS9945 so-8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS9945 so-8

266091
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Транзистор FDD6685
Полевые транзисторы

Транзистор FDD6685

265860
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор TPC8111
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8111

276750
5,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2N7000 (VN2222)
Полевые транзисторы

Транзистор 2N7000 (VN2222)

265896
1,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 40 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор SI2302DS ( A2SHB )
Полевые транзисторы

Транзистор SI2302DS ( A2SHB )

276711
1,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.65 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.