Транзистор MMF70R600P

Транзистор MMF70R600P

Артикул: 311966

Маркировка: 70R600P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28.7 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 23 nC

Время нарастания (tr): 27.6 ns

Выходная емкость (Cd): 34.9 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

10,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
311966

Просмотренные товары

Микросхема 1533КП15 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1533КП15 Au

299829
10,00 BYN
Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ. Микросхемы 1533КП15 представляют собой восьмивходовый селектор-мультиплексор с тремя устойчивыми состояниями.Содержат полный двоичный дешифратор для выбора одного из восьми источников данных и 2 дополняющих выхода с тремя состояниями.Корпус типа 402.16-32.Диапазон рабочих...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRLZ44N
Полевые транзисторы

Транзистор IRLZ44N

276545
5,32 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 41 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 32 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm TO220
Транзистор FDD2572 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор FDD2572 dpak (to252)

293099
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 135 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 29 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор FQPF22P10 (22P10)
Полевые транзисторы

Транзистор FQPF22P10 (22P10)

265436
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13.2 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор H65NF06
Полевые транзисторы

Транзистор H65NF06

293221
5,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор FKP250A
Полевые транзисторы

Транзистор FKP250A

276357
24,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор STP5NK80ZFP
Полевые транзисторы

Транзистор STP5NK80ZFP

260377
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1488
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1488

304734
19,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 210 pf...
Транзистор IRLML5103
Полевые транзисторы

Транзистор IRLML5103

276538
0,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.54 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.61 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm SOT89
Транзистор 2SJ5027F
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ5027F

304671
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.