Транзистор STD150NH02L

Транзистор STD150NH02L

Артикул: 302548
N-CHANNEL 24V - 0.003
Ω
- 150A ClipPAK™/IPAK
19,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

ТИПИЧНЫЙ RDS(on) = 0.003 Ω @ 10 VnTYPICAL RDS(on) = 0.005 Ω @ 5 VnRDS(ON) * Qg INDUSTRY BENCHMARKnCONDUCTION LOSSES REDUCEDnSWITCHING LOSSES REDUCEDnLOW THRESHOLD DEVICEnTHROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (СУФФИКС “-1")nSURFACE-MOUNTING POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (СУФФИКС “T4”)

302548

Просмотренные товары

Транзистор 2SB1134
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1134

275059
2,60 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V Ток коллектора, не более: -5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 280 Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H18N50 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H18N50 to220

293173
12,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 277 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 165 ns Выходная емкость (Cd): 330...
Транзистор 3DD5038 to3p
Полевые транзисторы

Транзистор 3DD5038 to3p

293004
13,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SK184GR
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK184GR

304749
14,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm
Транзистор IRG7R313U
Полевые транзисторы

Транзистор IRG7R313U

276510
5,52 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 78W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A DPAK
Транзистор 04N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор 04N60C3

275854
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2267
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2267

292969
43,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Общий заряд затвора (Qg): 170 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Транзистор FDS6690 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6690 so8

293113
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1953
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1953

304755
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 12 nC Время нарастания (tr): 4 ns...
Транзистор 18N50 (FDPF18N50,FQPF18N50) to-220f
Полевые транзисторы

Транзистор 18N50 (FDPF18N50,FQPF18N50) to-220f

265400
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 277 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 165 ns Выходная емкость (Cd): 330...
Транзистор 50N60SFD
Полевые транзисторы

Транзистор 50N60SFD

276031
20,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1040 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.