Транзистор STW13NK100Z

Транзистор STW13NK100Z

Артикул: 302513

Труба MOS 

62,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
1.00 kV
Номинальный Ток
13.0 A
Количество Каналов
1
Количество Стежков
3
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
700 mΩ
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
350 W
Пороговое Напряжение
3.75 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
1 kV
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
1000 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
13.0 A
Время Нарастания
35 ns
Входная емкость (Ciss)
6000pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
350 W
Время падения
45 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
350W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-247-3
размеры
Длина
15.75 mm
Ширина
5.15 mm
Высота
20.15 mm
Корпус/Пакет
TO-247-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃
302513

Просмотренные товары

Транзистор 2SK3569 to-220f
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3569 to-220f

264843
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 42 nC Время нарастания (tr): 22...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SJ655
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ655

304679
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 95 ns Выходная емкость (Cd): 155 pf...
Транзистор IRF3707
Полевые транзисторы

Транзистор IRF3707

276378
11,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 87 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 62 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK246Y
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK246Y

304793
2,20 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 650 Ohm Тип корпуса: TO92
Транзистор FDMC6675BZ
Полевые транзисторы

Транзистор FDMC6675BZ

311879
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AO4822
Полевые транзисторы

Транзистор AO4822

276162
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор PHP8N50E
Полевые транзисторы

Транзистор PHP8N50E

279546
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Транзистор H33N10 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H33N10 to220

293191
0,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная...
Транзистор IRF630N
Полевые транзисторы

Транзистор IRF630N

276385
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 82 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.5 A Общий заряд затвора (Qg): 23.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm Тип...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.