Транзистор FQB12P20

Транзистор FQB12P20

Артикул: 302485

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 31 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.47 Ohm

19,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
302485

Просмотренные товары

Микросхема 1645РТ2У Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1645РТ2У Au

299556
228,80 BYN
Однократно программируемое ПЗУ на основе элемента antifuse 256Кбит (32Кх8), радиационно стойкое Микросхема 1645РТ2У представляет собой радиационно стойкое однократно программируемое ПЗУ с произвольной выборкой на основе элемента “antifuse”. Информационная емкость накопителя 256Кбит с организацией (32Кх8) бит.  Микросхема разработана по КМОП технологии с...
View
Мельхиор проволока 0.8 мм 10 м
Мельхиор проволока

Мельхиор проволока 0.8 мм 10 м

290247
71,00 BYN
Мельхиор - коррозионностойкий медно-никелевый сплав. Основными компонентами являются медь (Cu) и никель (Ni), в небольшом количестве может присутствовать марганец (Mn) и железо (Fe). Обладает высокой коррозионной стойкостью и хорошей пластичностью. Данный сплав применяется в судостроительной, медицинской, а также в аппаратостроении и при производстве...
View
Транзистор BU2508DX orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2508DX orig

275215
15,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1535 TO220F
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1535 TO220F

304736
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время включения (ton): 45 ns Выходная емкость (Cd): 130 pf...
View
Транзистор IRGIB15B60KD1
Полевые транзисторы

Транзистор IRGIB15B60KD1

276513
18,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 52W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.80V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 19A TO220FP
View
Транзистор H9N90C to3p
Полевые транзисторы

Транзистор H9N90C to3p

293249
16,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор FDS4801
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4801

276331
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор K2221 ( хорошая замена 2SK1530 )
Полевые транзисторы

Транзистор K2221 ( хорошая замена 2SK1530 )

276580
29,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 800 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор HY1707B
Полевые транзисторы

Транзистор HY1707B

311925
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор FDS6679
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6679

276339
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор 52N15DPBF
Полевые транзисторы

Транзистор 52N15DPBF

276036
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 51 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор APM2510N dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор APM2510N dpak (to252)

293060
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор FQA24N50
Полевые транзисторы

Транзистор FQA24N50

279507
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 290 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 250 ns Выходная емкость (Cd): 520...
View
Транзистор 20NE06
Полевые транзисторы

Транзистор 20NE06

275950
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.