Транзистор TK8A55DA sc67 (to220f)

Транзистор TK8A55DA sc67 (to220f)

Артикул: 293440

Наименование прибора: TK8A55DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 550 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.07 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

6,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293440

Просмотренные товары

Микросхема 541РУ2А Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 541РУ2А Au

300436
21,60 BYN
Микросхема 541РУ2А - микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK537
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK537

304891
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 70 pf...
Транзистор 2SK3934
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3934

292994
11,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 62 nC Время нарастания (tr): 70...
Транзистор 2SK3561
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3561

304862
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRF614
Полевые транзисторы

Транзистор IRF614

276383
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS6912
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6912

311913
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор 11NM60ND
Полевые транзисторы

Транзистор 11NM60ND

275884
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFL014N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFL014N

276454
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор SIF444
Полевые транзисторы

Транзистор SIF444

276715
17,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 600 V Максимально допустимый постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Транзистор TK30A06J3A
Полевые транзисторы

Транзистор TK30A06J3A

312096
10,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm Тип корпуса: TO220SIS
Транзистор IRL1404
Полевые транзисторы

Транзистор IRL1404

276517
22,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 160 A Общий заряд затвора (Qg): 93.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm Корпус...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.