Транзистор ME25N06 dpak (to252)

Транзистор ME25N06 dpak (to252)

Артикул: 293303

N-Channel Enhancement MOSFET,Vds=60V, Id=16A, Pd=25W, Rds(on)=62 mOhm

3,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293303

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK3659 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3659 to220f

292988
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 65 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 14 ns Выходная емкость (Cd): 700 pf...
Транзистор AOD444 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AOD444 dpak (to252)

293028
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания...
Транзистор FIR12N80AN
Полевые транзисторы

Транзистор FIR12N80AN

311917
23,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 390 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 12 ns Выходная емкость (Cd): 315 pf...
Транзистор FDS9435A (SI9435DY)
Полевые транзисторы

Транзистор FDS9435A (SI9435DY)

266089
1,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 5N80A
Полевые транзисторы

Транзистор 5N80A

312576
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AO4805
Полевые транзисторы

Транзистор AO4805

276160
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор 20N60KDA
Полевые транзисторы

Транзистор 20N60KDA

275947
13,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 156 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор P2003EVG sop8
Полевые транзисторы

Транзистор P2003EVG sop8

293339
8,00 BYN
Наименование прибора: P2003EVG Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10 ns...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.