Транзистор IRF840AS

Транзистор IRF840AS

Артикул: 276419

Корпус TO-262 (D2-PAK)
Вес 1,3 г
N-Channel 8A 500V 142W

12,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276419
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AO4415
Полевые транзисторы

Транзистор AO4415

276139
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор AOP609 dip8
Полевые транзисторы

Транзистор AOP609 dip8

293041
14,00 BYN
ип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.7(3.5) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRFI9630G
Полевые транзисторы

Транзистор IRFI9630G

276450
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AP4506GEN
Полевые транзисторы

Транзистор AP4506GEN

276197
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9(8) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRF7460
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7460

259906
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK209
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK209

312559
6,72 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.15 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm Тип корпуса: SMINI SC59
Транзистор FDP6670AL
Полевые транзисторы

Транзистор FDP6670AL

276322
6,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2503 to-251 (i-pak)
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2503 to-251 (i-pak)

265412
20,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 240 pf...
Транзистор IRF7509 tsop8
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7509 tsop8

293271
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.4 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm Тип корпуса: MICRO8
Транзистор IRG4BC30S-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC30S-S

276496
5,16 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 34A Корпус: D2Pak
Транзистор Si4925B so8
Полевые транзисторы

Транзистор Si4925B so8

293394
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор H3NK80ZFP to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H3NK80ZFP to220f

293195
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.