Транзистор FQD30N06 dpak (to252)

Транзистор FQD30N06 dpak (to252)

Артикул: 293120

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22.7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 19 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm

6,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293120

Просмотренные товары

Транзистор 2SD773
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD773

303647
0,96 BYN
СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В20Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В17Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2Статический коэффициент передачи тока h21э мин135Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц50Максимальная рассеиваемая мощность...
Микросхема 308НР6 "5"
Микросхемы отечественные

Микросхема 308НР6 "5"

300007
43,00 BYN
— интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ) микросхемы интегральные предназначены для использования в измеряющей и вычисляющей технике для работы в схемах постоянного и переменного тока. Устанавливаются в РЭА в большой области электроники с функционалом последовательный разделитель константного и гормонического переменного...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK3265
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3265

304847
10,20 BYN
Маркировка: K3265 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор 2SK2688
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2688

304815
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 55 ns Выходная емкость (Cd): 1300 pf...
Транзистор 2SJ112
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ112

304652
3,80 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 35 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.05 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 3 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 30 Ohm Тип корпуса: TO92
Транзистор 2SK1217
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1217

304711
33,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 230 ns Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2SK1462
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1462

304729
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 500 pf...
Транзистор Si8050S
Полевые транзисторы

Транзистор Si8050S

293396
12,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор W20NM60 (STW20NM60,20NM60)
Полевые транзисторы

Транзистор W20NM60 (STW20NM60,20NM60)

266074
20,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор BSS92
Полевые транзисторы

Транзистор BSS92

276287
2,60 BYN
Транзисторы BSS92 предназначены для использования в источниках вторичного электропитания, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Масса транзистора не более 0,18 г.Тип корпуса: TO-92.Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.
Транзистор FDMC6675BZ
Полевые транзисторы

Транзистор FDMC6675BZ

311879
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор BUZ102 S
Полевые транзисторы

Транзистор BUZ102 S

276293
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 140NF55
Полевые транзисторы

Транзистор 140NF55

275895
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRFS9634
Полевые транзисторы

Транзистор IRFS9634

312622
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRLL024
Полевые транзисторы

Транзистор IRLL024

289737
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 10.4 nC Выходная емкость (Cd):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.