Транзистор AO4616 soic8

Транзистор AO4616 soic8

Артикул: 293011

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8(7) A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 3.5(5.5) ns

Выходная емкость (Cd): 110(180) pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02(0.022) Ohm

9,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293011

Просмотренные товары

Транзистор 2Т391А-2Н Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т391А-2Н Au

300999
2,20 BYN
кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 3,6 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.Бескорпусные с гибкими выводами на...
Транзистор 2SC5298
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5298

304122
17,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 20N60KDA
Полевые транзисторы

Транзистор 20N60KDA

275947
13,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 156 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор 2SJ601
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ601

304678
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 63 nC Время нарастания (tr): 12 ns...
Транзистор STD12N50M2 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор STD12N50M2 dpak (to252)

293407
8,40 BYN
Наименование прибора: STD12N50M2 Маркировка: 12N50M2 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A...
Транзистор HQ84SN06A (84N06) to220
Полевые транзисторы

Транзистор HQ84SN06A (84N06) to220

293252
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 84 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор IRGIB15B60KD1
Полевые транзисторы

Транзистор IRGIB15B60KD1

276513
18,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 52W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.80V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 19A TO220FP
Транзистор ME35N10A
Полевые транзисторы

Транзистор ME35N10A

311963
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
Транзистор 2SK3050
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3050

304838
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 17 ns Выходная емкость (Cd): 48 pf...
Транзистор AP9971GH dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AP9971GH dpak (to252)

293057
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 24 ns Выходная емкость (Cd): 160 pf...
Транзистор 2SK2196
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2196

304770
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 500 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2SK544
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK544

304892
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 90 Ohm
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.