Транзистор FS2KM-16A

Транзистор FS2KM-16A

Артикул: 271130

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 13 ns

Выходная емкость (Cd): 45 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6 Ohm

Тип корпуса: TO-220FN

7,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
271130
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K3767
Полевые транзисторы

Транзистор K3767

276635
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.5 Ohm
Транзистор 2SJ599
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ599

304677
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
Транзистор 2N60C TO252 (DPAK)
Полевые транзисторы

Транзистор 2N60C TO252 (DPAK)

275975
1,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.7...
Транзистор IRLD014
Полевые транзисторы

Транзистор IRLD014

290300
5,60 BYN
ип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AP4501GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4501GM

276195
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(5.3) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5(10) ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор BSP254
Полевые транзисторы

Транзистор BSP254

276282
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная...
Транзистор IRF1407
Полевые транзисторы

Транзистор IRF1407

259862
10,00 BYN
ярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 130 A Общий заряд затвора (Qg): 160 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0078 Ohm Тип корпуса: TO220AB
Транзистор 2SK526
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK526

304889
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 50 ns Выходная емкость (Cd): 260 pf...
Транзистор 2SK975
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK975

312570
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2N7000 (VN2222)
Полевые транзисторы

Транзистор 2N7000 (VN2222)

265896
1,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 40 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.