Транзистор K3019

Транзистор K3019

Артикул: 276615

Корпус SOT-416
Вес 0 г
N-Channel 30V, 100mA 150mW

2,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276615
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор КТ117Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ117Б

313941
5,00 BYN
 Структура транзистора: n-база• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;• fmax - Максимальная частота генерации: 0,2 МГц;• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и...
Транзистор 2Т994А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т994А Au

300948
503,20 BYN
Транзисторы 2Т994А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности диапазона частот 1,4...1,6 ГГц в импульсном режиме в схеме с общей базой при напряжении питания 45 В.Транзистор содержит согласующие цепи.Тип прибора указывается на кристаллодержателе.Масса транзистора не...
Транзистор 2Т989Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т989Б

300944
54,00 BYN
Транзисторы 2Т989Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности,работающих в диапазоне частот 2 ГГц при напряжении питания 28 В в схеме с общей базой.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не...
Транзистор 2Т950А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т950А Au

300887
183,08 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные.Транзистор 2Т950А предназначен для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 30...80 МГц при напряжении питания 28 В, 2Т950Б - в диапазоне частот 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В в герметизированной аппаратуре.Транзистор 2Т950А выпускается...
Транзистор КТ209Е
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ209Е

259425
0,80 BYN
Транзисторы КТ209Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры, КТ209Б1, КТ209В1 - в блоках ТВ приемников.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами в двух вариантах.

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AOD604
Полевые транзисторы

Транзистор AOD604

293035
10,80 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2N7000 (VN2222)
Полевые транзисторы

Транзистор 2N7000 (VN2222)

265896
1,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 40 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS6675 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6675 so8

293110
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AP4410M
Полевые транзисторы

Транзистор AP4410M

311841
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS4470
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4470

276326
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.5 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор APM9946
Полевые транзисторы

Транзистор APM9946

276266
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 8 ns Выходная емкость (Cd): 70 pf...
Транзистор RSS075P03 sop8
Полевые транзисторы

Транзистор RSS075P03 sop8

293372
11,20 BYN
Наименование прибора: RSS075P03FU6TB Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная...
Транзистор STD10NM60N (10NM60N)
Полевые транзисторы

Транзистор STD10NM60N (10NM60N)

265445
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2662
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2662

304808
20,40 BYN
Маркировка: K2662 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.