Транзистор FDH5500

Транзистор FDH5500

Артикул: 276319

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 206 nC

Время нарастания (tr): 102 ns

Выходная емкость (Cd): 1310 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm

TO247

31,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276319
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SJ103GR to92
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ103GR to92

292944
4,80 BYN
Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -0.014 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 270 ом при-0.05a, -0.01в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.3 Крутизна...
Транзистор AO4611
Полевые транзисторы

Транзистор AO4611

295043
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.3(4.9) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 200NF04 (STP200NF04)
Полевые транзисторы

Транзистор 200NF04 (STP200NF04)

265402
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор AP2001
Полевые транзисторы

Транзистор AP2001

276188
27,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C SO16
Транзистор IRFP4410
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP4410

276461
14,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 97 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2561
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2561

304798
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
Транзистор 9NM60N
Полевые транзисторы

Транзистор 9NM60N

276127
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ306
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ306

292947
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 18 ns Выходная емкость (Cd): 110 pf...
Транзистор H1NK60Z dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор H1NK60Z dpak (to252)

293177
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор AOD4144
Полевые транзисторы

Транзистор AOD4144

311837
5,20 BYN
Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 23 nC Время...
Транзистор 80N08G
Полевые транзисторы

Транзистор 80N08G

276095
17,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 50 ns Выходная емкость (Cd): 1260 pf...
Транзистор IRLR2405
Полевые транзисторы

Транзистор IRLR2405

294954
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.