Транзистор IRFD123

Транзистор IRFD123

Артикул: 276442

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.3 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Время нарастания (tr): 27 ns

Выходная емкость (Cd): 150 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm

DIP 4-Pin

3,20 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276442
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор КП707Е1
Транзисторы отечественные

Транзистор КП707Е1

301560
2,80 BYN
Транзисторы КП707Е1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.Транзисторы...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1461
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1461

292957
18,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 35 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
View
Транзистор P2003EVG sop8
Полевые транзисторы

Транзистор P2003EVG sop8

293339
8,00 BYN
Наименование прибора: P2003EVG Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10 ns...
View
Транзистор IPW60R165CP (6R165)
Полевые транзисторы

Транзистор IPW60R165CP (6R165)

265439
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Общий заряд затвора (Qg): 39 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.165 Ohm Тип корпуса: TO247
View
Транзистор 2SK975
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK975

312570
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор P4404 EDG
Полевые транзисторы

Транзистор P4404 EDG

276672
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9.2 ns Выходная емкость (Cd): 180 pf...
View
Транзистор SPW16N50C3
Полевые транзисторы

Транзистор SPW16N50C3

302582
54,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор RSS060P05
Полевые транзисторы

Транзистор RSS060P05

293369
6,40 BYN
Наименование прибора: RSS060P05 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 45 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура...
View
Транзистор AO3413 (A1T)
Полевые транзисторы

Транзистор AO3413 (A1T)

276131
1,04 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор AF4512 smd
Полевые транзисторы

Транзистор AF4512 smd

293005
5,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.