Транзистор IRF7101

Транзистор IRF7101

Артикул: 276389

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm

Тип корпуса: SO8

1,96 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276389
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2Т3130Г9 Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3130Г9 Ni

300920
2,20 BYN
Транзисторы 2Т3130Г9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается в...
Транзистор IRF3704
Полевые транзисторы

Транзистор IRF3704

312612
10,56 BYN
Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 20 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 7.9 мОм Ток стока 67 А Заряд затвора 8.7 нКл Термосопротивление 2.65 К/Вт Рассеиваемая мощность 57 Вт

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K3075
Полевые транзисторы

Транзистор K3075

276617
39,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm...
Транзистор 88N30W
Полевые транзисторы

Транзистор 88N30W

276104
10,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 48 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Время нарастания (tr): 142...
Транзистор K2605
Полевые транзисторы

Транзистор K2605

276593
5,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Общий заряд затвора (Qg): 34 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm Тип корпуса: TO220NIS
Транзистор AP40P03GI to220f
Полевые транзисторы

Транзистор AP40P03GI to220f

293045
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 A Время нарастания (tr): 48 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
Транзистор ME04N25 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор ME04N25 dpak (to252)

293301
5,60 BYN
Наименование прибора: ME04N25 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.3 A Максимальная температура...
Транзистор SPW16N50C3
Полевые транзисторы

Транзистор SPW16N50C3

302582
54,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ584
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ584

304675
5,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 120...
Транзистор TPC8110 so8
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8110 so8

293443
8,00 BYN
Наименование прибора: TPC8110 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала...
Транзистор FDS6612A
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6612A

311912
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFR310
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR310

276472
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AP2763I-A
Полевые транзисторы

Транзистор AP2763I-A

276193
20,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 750 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 11N06LT
Полевые транзисторы

Транзистор 11N06LT

275873
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 15 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.