Транзистор IRF7101

Транзистор IRF7101

Артикул: 276389

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm

Тип корпуса: SO8

1,96 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276389
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SC3729
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3729

303786
17,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AO4468
Полевые транзисторы

Транзистор AO4468

276153
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор IRF7424
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7424

259905
10,47 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 AОбщий заряд затвора (Qg): 75 nCСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0135 OhmТип корпуса: SO8
View
Транзистор W20NM60 (STW20NM60,20NM60)
Полевые транзисторы

Транзистор W20NM60 (STW20NM60,20NM60)

266074
20,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор AF4835
Полевые транзисторы

Транзистор AF4835

293006
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018...
View
Транзистор 59N25
Полевые транзисторы

Транзистор 59N25

276039
17,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 392 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 59 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SJ307
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ307

292948
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 37 ns Выходная емкость (Cd): 235 pf...
View
Транзистор 90NF20
Полевые транзисторы

Транзистор 90NF20

276116
17,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 83 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор APM4828 so8
Полевые транзисторы

Транзистор APM4828 so8

293066
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 220 pf...
View
Транзистор H7N65C to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H7N65C to220f

293233
5,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRFPC40
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPC40

276466
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRF841
Полевые транзисторы

Транзистор IRF841

276421
2,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 1500 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор P0920ATF
Полевые транзисторы

Транзистор P0920ATF

312023
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.