Транзистор AP9975GH

Транзистор AP9975GH

Артикул: 276237

Корпус TO-252 (D-PAK)
Вес 0,4 г
N-Channel POWER MOSFET DIOD

4,76 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276237
Новый товар

Просмотренные товары

Тефлон армированный стеклотканью самоклеящийся 0,25 х...
Тефлоновое армированное полотно с клеевым слоем

Тефлон армированный стеклотканью самоклеящийся 0,25 х 1000 мм 1 метр

14563
222,00 BYN
Тефлон имеет адгезивную (клеющуюся) поверхность, на подложке. Толщина: 0,25 мм Ширина рулона: 1000 мм Представляет собой тефлоновое полотно армированное стеклотканью. Обладает липким термостойким клеем с одной стороны. Клеевой слой защищен подложкой желтого цвета. Применение: -запаечные аппараты  -сварное оборудование -ламинирующее оборудование -любое...
Тефлон армированный стеклотканью самоклеящийся 0,18 х...
Тефлоновое армированное полотно с клеевым слоем

Тефлон армированный стеклотканью самоклеящийся 0,18 х 1000 мм 1 метр

11146
208,40 BYN
Тефлон имеет адгезивную (клеющуюся) поверхность, на подложке. Толщина: 0,18 мм Ширина рулона: 1000 мм Представляет собой тефлоновое полотно армированное стеклотканью. Обладает липким термостойким клеем с одной стороны. Клеевой слой защищен подложкой желтого цвета. Применение: -запаечные аппараты  -сварное оборудование -ламинирующее оборудование -любое...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор Si4925B so8
Полевые транзисторы

Транзистор Si4925B so8

293394
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор APM9973
Полевые транзисторы

Транзистор APM9973

276267
15,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 77 pf...
Транзистор 2SJ175
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ175

304656
5,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 65 ns Выходная емкость (Cd): 460 pf...
Транзистор IRF7379
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7379

276401
2,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.8 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор 2SK941
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK941

304905
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 4 ns Выходная емкость (Cd): 40 pf...
Транзистор STP6NK60ZPFP
Полевые транзисторы

Транзистор STP6NK60ZPFP

260378
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор RD01MUS2 sot89
Полевые транзисторы

Транзистор RD01MUS2 sot89

293352
15,60 BYN
Наименование прибора: RD01MUS2 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Тип корпуса: SOT-89 Аналог...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.