Транзистор 30PF03L-1

Транзистор 30PF03L-1

Артикул: 275984

Корпус TO-251 (I-PAK)
Вес 0,4 г
P-Channel 30V 24A 70W

2,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275984
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SD1994
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1994

304505
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Транзистор 5504EDG dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор 5504EDG dpak (to252)

293344
5,60 BYN
Наименование прибора: P5504EDG Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9.7 ns...
Микросхема 574УД4А Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 574УД4А Au

300546
12,80 BYN
Микросхемы 574УД4А представляют собой быстродействующий операционный усилитель с малыми входными токами.Предназначены для построения схем выборки и хранения, высокоомных широкополосных усилителей и компараторов, широкополосных генераторов с большим выходным напряжением.Не имеют внутренней частотой коррекции.Предназначены для работы в электронной...
Микросхема 555КП14 "5"
Микросхемы отечественные

Микросхема 555КП14 "5"

300202
5,40 BYN
микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы предназначаются для...
Микросхема К237ХА3
Микросхемы отечественные

Микросхема К237ХА3

313440
1,00 BYN
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 ВНапряжение:    на выводе 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,06…0,12 В    на выводе 6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,2…1 ВТок потребления . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....
Транзистор D2007
Биполярные транзисторы

Транзистор D2007

275640
1,16 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK3711
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3711

304873
28,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 75N60H3 ( K75H603 )
Полевые транзисторы

Транзистор 75N60H3 ( K75H603 )

276084
28,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 140 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор AP9997GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP9997GM

276244
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 95 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7 ns Выходная емкость (Cd): 65 pf...
Транзистор K2188
Полевые транзисторы

Транзистор K2188

276579
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 70* ns Выходная емкость (Cd): 200 pf...
Транзистор K2674
Полевые транзисторы

Транзистор K2674

276597
29,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 150 pf Сопротивление сток-исток...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.