Транзистор IRFP32N50K

Транзистор IRFP32N50K

Артикул: 259924

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 460 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 32 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 190 nC

Время нарастания (tr): 120 ns

Выходная емкость (Cd): 550 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.16 Ohm

31,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Наименование прибора: IRFP3206

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 200 A

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO247AC

259924
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 533ИР22 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 533ИР22 Ni

300177
3,20 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии.Микросхема 533ИР22 представляет собой параллельный регистр восьмиразрядный буферный с потенциальным управлением.Выполнен на восьми D-триггерах. Имеет 3 состояния на выходе.Предназначена для применения в аппаратуре специального назначения.Содержит 269 интегральных элементов.Корпус типа...
Транзистор 2SD947F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD947F

304647
9,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 130 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFP354
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP354

276457
22,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 27N25
Полевые транзисторы

Транзистор 27N25

312579
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор RSS085N05 sop8
Полевые транзисторы

Транзистор RSS085N05 sop8

293373
13,60 BYN
Наименование прибора: RSS085N05 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 45 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура...
Транзистор HN75N09AP
Полевые транзисторы

Транзистор HN75N09AP

311923
8,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор AP9973M
Полевые транзисторы

Транзистор AP9973M

276236
6,00 BYN
Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор K427
Полевые транзисторы

Транзистор K427

276643
1,56 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 15 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 1.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 125 Ohm
Транзистор APM9932C so8
Полевые транзисторы

Транзистор APM9932C so8

293067
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9(6) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
Транзистор 60NH03L (STD60NH03LT4,D60NH03L)
Полевые транзисторы

Транзистор 60NH03L (STD60NH03LT4,D60NH03L)

266058
8,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2655
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2655

304807
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 120 ns Выходная емкость (Cd): 180...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.