Транзистор КТ683В

Транзистор КТ683В

Артикул: 301490

Технические параметры

Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	80
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	1.2
Корпус	кт-27-2(то-126)
Вес, г	1

0,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22

Подробнее о товаре

Артикул 301490

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КП948А

Транзисторы отечественные

Транзистор КП948А

Транзистор полевой КП948А с вертикальным нормально закрытым каналом n-типа, работающий при прямом смещении на затворе, Uзи max=5В.Схема включения аналогична включению биполярных n-p-n транзисторов.Предназначен для применения в быстродействующих силовых схемах радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Применение его вместо КТ858, КТ859, КТ872 и т.п. позволяет в 2...

Транзистор КП707Д1

Транзисторы отечественные

Транзистор КП707Д1

Транзисторы КП707Д1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.Транзисторы...

Транзистор КП750Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КП750Г

Прототип: IRL640 Тип корпуса: КТ-28-2 kp750.pdf Диапазон температур: -55 +125 °С Uси max, В: 200 Rси, Oм: 0,18 Ic max, A: 18 Uзи max, В: ±10 P max, Вт: 125 Uзи пор, В: 1,0...2,0

Транзистор 2Т842А

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т842А

Транзисторы 2Т842А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т842А, 2Т842Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Транзистор 2Т842А1, 2Т842Б1 выпускается в пластмассовом корпусе с...

Транзистор КТ958А Au

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ958А Au

Транзисторы КТ958А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Внутри корпуса имеется согласующее...

Транзистор КП743А1

Транзисторы отечественные

Транзистор КП743А1

КPЕМНИЕВЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАPНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТPАНЗИСТОPЫ С ИЗОЛИPОВАННЫМ ЗАТВОPОМ, ОБОГАЩЕНИЕМ N-КАНАЛА И ВСТРОЕННЫМ ОБРАТНОСМЕЩЕННЫМ ДИОДОМ. ПPЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ИСТОЧНИКАХ ВТОPИЧНОГО ЭЛЕКТPОПИТАНИЯ С БЕСТPАНСФОPМАТОPНЫМ ВХОДОМ,В PЕГУЛЯТОPАХ , СТАБИЛИЗАТОPАХ И ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ С НЕПPЕPЫВНЫМ ИМПУЛЬСНЫМ УПPАВЛЕНИЕМ, CХЕМАХ УПPАВЛЕНИЯ...

Транзистор КТ9153БС Au

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ9153БС Au

Транзисторные сборки КТ9153БС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса АВ в двухтактной схеме с общей базой в диапазоне частот 390...840 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми...

Транзистор 2Т974А Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т974А Au

Транзисторы 2Т974А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в импульсных и линейных устройствах и преобразователях.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1,5 г.Тип корпуса: КТ-2-7.Технические условия: аА0.339.287 ТУ.

Транзистор П309М

Транзисторы отечественные

Транзистор П309М

кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные.Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводися на корпусе.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: ЖК3.365.059ТУ.

Транзистор 2Т665А9

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т665А9

Транзисторы 2Т665А-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Маркируются условными знаками: - 2Т665А9 - 2А, - 2Т665Б9 - 2Б,Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,1 г.Тип...

Транзистор КТ837У

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837У

Транзисторы КТ837У кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...

Транзистор КТ502Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ502Г

Транзисторы КТ502Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным, графическим или цветовым кодом на...

Транзистор КТ640В-2 Au

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ640В-2 Au

Транзисторы КТ640В-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1...7,2 ГГц в схеме ОБ в составе гибридных интегральных микросхем.

Транзистор КТ837Д

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837Д

Транзисторы КТ837Д кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.

Транзистор КТ502Е

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ502Е

Транзисторы КТ502Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,3 г.

Транзистор КТ502Б

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ502Б

Транзисторы КТ502Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.