Транзистор КТ997А

Транзистор КТ997А

Артикул: 301317
  • Структура n-p-n
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 45 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000(20000) мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (50) Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>40
  • Обратный ток коллектора <=10 мкА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>51 МГц
  • Коэффициент шума биполярного транзистора <1 дБ
1,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
301317

Просмотренные товары

Транзистор П702
Транзисторы отечественные

Транзистор П702

301384
1,20 BYN
транзисторы кремниевые мезапланарные низкочастотные структуры N-P-N. Выполнены в металло-стеклянном корпусе. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения.
View
Транзистор ECG261
Полевые транзисторы

Транзистор ECG261

276305
6,80 BYN
Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная...
View

В этой категории 16 товаров:

КТ816В
Транзисторы отечественные

КТ816В

299911
1,32 BYN
Транзисторы КТ816В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.Тип...
View
Транзистор П309 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор П309 Au

301371
10,80 BYN
Транзисторы П309 кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные.Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводися на корпусе.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия:...
View
Транзистор КП750Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КП750Б

301587
2,20 BYN
Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП750Б предназначен для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры....
View
Транзистор КТ825Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ825Г

259522
55,00 BYN
Транзисторы КТ825Г кремниевые мезапланарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Транзисторы КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.
View
Транзистор КТ892В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ892В

301215
13,00 BYN
Наименование производителя: KT892B Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A...
View
Транзистор 3П602Б-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 3П602Б-2 Au

301685
7,60 BYN
Транзисторы 3П602Б-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шотки и каналом п-типа сверхвысокочастотные генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях частоты на частотах 3...12 ГГц в герметизированной аппаратуре.Транзисторы 3П602А-2, 3П602Б-2, 3П602В-2, 3П602Г-2, 3П602Д-2 бескорпусные с гибкими...
View
Транзистор 2Т979А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т979А Au

300933
292,40 BYN
Транзистор  2Т979А  кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный.Предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в схеме с общей базой на частотах 0,7...1,4 ГГц при напряжении питания 28 В в непрерывном режиме и 35...40 В в импульсном режиме.Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми...
View
Транзистор КТ316Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ316Б Ni

301303
1,52 BYN
Транзисторы КТ316Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (КТ316А, КТ316Б, КТ316В).Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.
View
Транзистор КТ306Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ306Г

259432
3,30 BYN
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д) и переключающих устройствах (2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б).Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип приборов указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,65 г.
View
Транзистор 2Т988А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т988А Au

300942
137,36 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях в схеме с общей базой в непрерывном и импульсном режиме в полосе частот 0,7...1 ГГц для 2Т988А, 0,9...1,4 ГГц для 2Т988Б при напряжении питания 28 В.Выпускаются а металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Тип прибора...
View
Транзистор КТ315Р
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ315Р

301297
0,80 BYN
Транзисторы КТ315Р кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не более 0,18 г.Тип корпуса:...
View
Транзистор КП802А
Транзисторы отечественные

Транзистор КП802А

301596
13,00 BYN
Транзисторы КП802А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и вертикальным каналом n-типа переключательные.Полевые транзисторы 2П802А, КП802А, КП802Б предназначены для применения в преобразователях постоянного напряжения, быстродействующих переключающих устройствах.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными...
View
Транзистор ТК235-63-0,5-2
Транзисторы отечественные

Транзистор ТК235-63-0,5-2

301385
21,60 BYN
Транзистор силовой кремниевый.Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 63АМаксимальное напряжение коллектор-база - 200ВСтруктура условного обозначения:ТК235-63-2-ХХХ:ТК - транзистор кремниевый;2 - порядковый номер...
View
Транзистор 2Т117Б Au ОС
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т117Б Au ОС

300751
4,20 BYN
Транзисторы 2Т117Б кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа.Транзисторы 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г предназначены для применения в маломощных генераторах.Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе и этикетке.Масса транзистора не более 0,45 г.Тип корпуса: КТ1-7.Технические условия:...
View
Транзистор МП42Б
Германиевые транзисторы

Транзистор МП42Б

301345
4,00 BYN
Транзисторы МП42Б германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.Предназначены для применения в схемах переключения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: аА0.336.634 ТУ.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.