Транзистор 2Т704А
Транзисторы 2Т704А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Вывод эмиттера маркируется точкой.
Тип корпуса: КТ-10.
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - ЖК3.365.245ТУ.
Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Зарубежный аналог: 2SC937.
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
Основные технические характеристики транзистора 2Т704А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 мГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 500 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (1000В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом