Транзистор КП103Ж1Р

Транзистор КП103Ж1Р

Артикул: 301528

Транзисторы КП103Ж1 кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Технические условия: ТФ3.365.000ТУ1.

1,32 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
301528

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ948А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ948А Au

301253
43,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1900...
Транзистор 2Т875Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т875Б

300810
27,00 BYN
 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы  предназначены для работы в линейных и ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.Тип корпуса: КТ-9...
Транзистор 2Т3123А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3123А-2 Au

300906
37,80 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Транзисторы 2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2, КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2 выполнены на керамическом негерметизированном держателе, размеры которого...
Транзистор КТ808ВМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ808ВМ

301504
7,00 BYN
Транзисторы КТ808ВМ кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Транзистор КТ502Е
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ502Е

259488
1,00 BYN
Транзисторы КТ502Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,3 г.
Транзистор 2Т842А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т842А

300792
13,00 BYN
Транзисторы 2Т842А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т842А, 2Т842Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Транзистор 2Т842А1, 2Т842Б1 выпускается в пластмассовом корпусе с...
Транзистор МП13Б
Транзисторы отечественные

Транзистор МП13Б

301335
0,80 BYN
Транзисторы МП13Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные.Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.Масса...
Транзистор 2Т321Д Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т321Д Ni

300972
1,20 BYN
Транзисторы 2Т321Д кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 2,2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: аА0.339.248 ТУ.
Транзистор ГТ806А,Б
Транзисторы отечественные

Транзистор ГТ806А,Б

301158
10,00 BYN
ГТ806АТранзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 28 г.Тип корпуса:...
Транзистор КТ3123БМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3123БМ

301209
2,00 BYN
Транзисторы КТ3123БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные, с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с...
Транзистор КТ3151Д9
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3151Д9

301280
0,40 BYN
Транзисторы КТ3151Д9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими...
Транзистор 2Т326Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т326Б Au

300979
4,80 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.Транзисторы 2Т326А, 2Т326Б, КТ326А, КТ326Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,5 г.Тип...
Транзистор КП306А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КП306А Au

301533
4,40 BYN
Транзисторы КП306А, КП306Б, КП306В кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики. Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с...
Транзистор КТ853Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ853Г

259797
1,52 BYN
Транзисторы КТ853Г кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
Транзистор КТ808А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ808А

310540
20,00 BYN
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 120(250) В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 120(250) В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000 мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 5(50) Вт Статический...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.