Транзистор 1Т403Д

Транзистор 1Т403Д

Артикул: 300726

Транзисторы 1Т403Д германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Технические условия: СИ3.365.023 ТУ.

0,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
300726

Просмотренные товары

Транзистор IRG4BC40K
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC40K

276499
14,96 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.6V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: TO220AB
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ391А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ391А-2 Au

301410
2,40 BYN
Транзисторы КТ391А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 3,6 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.
View
Транзистор П202Э
Транзисторы отечественные

Транзистор П202Э

301353
2,80 BYN
Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 70 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 2 А мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 10* Вт Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером >20*...
View
Транзистор КП746В
Транзисторы отечественные

Транзистор КП746В

301581
2,20 BYN
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других...
View
Транзистор КП948Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КП948Б

301608
1,20 BYN
Транзистор полевой КП948Б с вертикальным нормально закрытым каналом n-типа, работающий при прямом смещении на затворе, Uзи max=5В.Схема включения аналогична включению биполярных n-p-n транзисторов.Предназначен для применения в быстродействующих силовых схемах радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Применение его вместо КТ858, КТ859, КТ872 и т.п. позволяет в 2...
View
Транзистор 2П923Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П923Б Au

301665
86,20 BYN
Транзисторы 2П923Б полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа генераторные.Полевые транзисторы  предназначены для применения в генераторах и усилительных устройствах на частотах до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Тип...
View
Транзистор КТ3107Ж
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3107Ж

301196
0,52 BYN
Транзисторы КТ3107Ж кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта маркировки:
View
Транзистор 2Т921А Au ОС
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т921А Au ОС

300859
34,40 BYN
Транзисторы 2Т921А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 6,5 г.Тип корпуса:...
View
Транзистор 2Т914А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т914А Au

300850
21,60 BYN
Транзисторы 2Т914А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 400 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора...
View
Транзистор КТ3123
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3123

259821
1,76 BYN
Транзисторы КТ3123АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Транзисторы КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ выпускаются в металлокерамическом корпусе.Масса транзисторов не более 0,3 г.Тип корпуса: КТ-29.
View
Транзистор КТ3189В9
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3189В9

301309
0,40 BYN
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор малой мощности.Транзисторы КТ3189В9 предназначены для использования в усилителях, генераторах, преобразователях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в миниатюрном...
View
Транзистор 2Т3129Г9 Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3129Г9 Ni

300913
2,20 BYN
Транзисторы 2Т3129Г9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,1 г.Тип корпуса:...
View
Транзистор 2Т316Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т316Б Ni

300962
3,00 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).Выпускаются:   - в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г,...
View
Транзистор КП750Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КП750Б

301587
2,20 BYN
Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП750Б предназначен для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры....
View
Транзистор КТ892В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ892В

301215
13,00 BYN
Наименование производителя: KT892B Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A...
View
Транзистор 2П333А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П333А Au

301641
4,80 BYN
Транзисторы КП333А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот до 200 МГц в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением.Используются в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.