Микросхема SI2300

Микросхема SI2300

Артикул: 308464

ОСОБЕННОСТИ

• Передовая технология обработки траншей

• Конструкция ячейки высокой плотности для сверхнизкого сопротивления во включенном состоянии

• Полностью охарактеризованные лавинное напряжение и ток

• Улучшенный сквозной FOM

1,08 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
308464

Просмотренные товары

Транзистор 21NM60N
Полевые транзисторы

Транзистор 21NM60N

275958
7,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.