Микросхема IRU1010-33CY

Микросхема IRU1010-33CY

Артикул: 308256

1A НИЗКИЙ ОТСЕВ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ ФИКСИРОВАННЫЙ РЕГУЛЯТОР 3,3 В

21,60 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
308256

Просмотренные товары

Провод МСЭ 26-13 1 х 2.5 1 метр
МСЭ

Провод МСЭ 26-13 1 х 2.5 1 метр

289857
41,20 BYN
Провод 1 х 2.5 в экране  М - Монтажный проводС - Сплошная изоляция из спекаемой пленкиЭ - Экран в виде оплетки из медных луженых проволок2 - Величина номинального напряжения (250 Вольт)6 - Максимальная температура эксплуатации (200 ?С)1 - Степень прочности токопроводящей жилы - нормальная прочность3 - Порядковый номер разработки1 - количество жил0,75 -...
GPS модуль GY-NEO-6M + SMA + micro USB
Модули приемников/ передатчиков

GPS модуль GY-NEO-6M + SMA + micro USB

312604
86,00 BYN
Версия всеми известного модуля GPS приемника на основе NEO-6M производства uBlox c USB интерфейсом, что позволяет возможность подключения модуля через разъем micro USB на плате. Также отличительными особенностями данного модуля являются наличие на модуле активной керамической GPS антенны и возможность установки SMA разъема для подключения внешней...
Транзистор 2Т607А-4 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т607А-4 Au

301046
13,00 BYN
Транзисторы 2Т607А-4 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях в герметизированной аппаратуре.Бескорпусные с защитным покрытием.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,4 г.Технические условия: Я53.365.008 ТУ.
Транзистор КП307Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КП307Б Ni

301535
1,40 BYN
Транзисторы КП307Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах...

В этой категории 16 товаров:

Микросхема TDA8563Q SIP13
Микросхемы импортные

Микросхема TDA8563Q SIP13

281459
86,00 BYN
микросхема усилителя низкой частоты производства фирмы NXP (разработка Philips) представляет собой интегральный стерео усилитель низкой частоты. Каждый канал работает по мостовой схеме. Рекомендуется для автомобильных применений.
Микросхема AP9930GM so-8
Микросхемы импортные

Микросхема AP9930GM so-8

264952
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5(4.1) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10(7.7) ns Выходная емкость...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.