Микросхема W25X32VSIG

Микросхема W25X32VSIG

Артикул: 305846

16-РАЗРЯДНАЯ, 32-РАЗРЯДНАЯ И 64-РАЗРЯДНАЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНАЯ ФЛЭШ-ПАМЯТЬ С СЕКТОРАМИ 4 КБ И ДВОЙНЫМ ВЫХОДОМ SPI

13,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
305846

Просмотренные товары

Транзистор 30N06
Полевые транзисторы

Транзистор 30N06

275979
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 79 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 32 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRGIB15B60KD1
Полевые транзисторы

Транзистор IRGIB15B60KD1

276513
18,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 52W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.80V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 19A TO220FP

В этой категории 16 товаров:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.