Микросхема VNS1NV04DP-E

Микросхема VNS1NV04DP-E

Артикул: 305408
21,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Номинальная Мощность4 W

Количество Выходных Интерфейсов2

Выходной Ток1.7 A

Ток Питания0.1 mA

Количество Каналов2

Количество Стежков8

Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)0.25 Ω

ПолярностьN-Channel

Рассеяние Мощности4 W

Пороговое Напряжение500 mV

Напряжение Сток-исток (Vds)45 V

Выходной ток (Макс)1.7 A

Количество входов1

Рассеиваемая Мощность (Макс)4 W

пакет

Стиль МонтажаSurface Mount

Количество Выводов8

Корпус/ПакетSOIC-8

размеры

Длина5 mm

Ширина4 mm

Высота1.5 mm

Корпус/ПакетSOIC-8

физическое

Рабочая Температура-40℃ ~ 150℃ (TJ)

305408

Просмотренные товары

Транзистор TPC8110 so8
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8110 so8

293443
8,00 BYN
Наименование прибора: TPC8110 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала...
View

В этой категории 16 товаров:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.