Микросхема OP07DR

Микросхема OP07DR

Артикул: 302193

Операционный усилитель

3,20 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Количество Цепей
1
Скорость Нарастания
300 mV/μs
Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания
0.6 MHz
Рабочая температура (Макс)
125 ℃
Рабочая температура (мин)
-40 ℃
Минимальный диапазон CMRR
120 dB
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Количество Выводов
8
Корпус/Пакет
SOIC
размеры
Корпус/Пакет
SOIC
302193

Просмотренные товары

Транзистор 2SC1625 TO220
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1625 TO220

303496
8,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор IRF7413
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7413

259903
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Диод СВЧ 2А506В
Диоды СВЧ

Диод СВЧ 2А506В

294584
3,28 BYN
Основные технические параметры СВЧ диода 2А506В:• Потери пропускания: не более 0,4 дБ;• Потери запирания: не менее 22 дБ;• Время прямого восстановления: не более 6 мкс;• Время обратного восстановления: не более 60 мкс;• Постоянное обратное напряжение: 100 В;• Непрерывная рассеиваемая мощность: 2 Вт;• Значение допустимого статического потенциала: 2000 В;•...
Транзистор 5N62K3
Полевые транзисторы

Транзистор 5N62K3

276046
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 620 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

В этой категории 16 товаров:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.