Микросхема RA05H9595M-101

Микросхема RA05H9595M-101

Артикул: 301908

RA05H9595M-101

80,80 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

другие

StatusStandard

Напряжение питания Vd14 В

Частота Max0.954 ГГц

P1dB37 дБм

Частота Min0.952 ГГц

Типовая мощность

RoHSNon-Совместимый

соблюдение

RoHS КомплаенсNON-совместимый

301908

Просмотренные товары

Транзистор IRFD9110
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD9110

312617
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.7 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SA970 TO92
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA970 TO92

264631
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SJ598
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ598

304676
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 23 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 4 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
BUTW92 TO3PML
Биполярные транзисторы

BUTW92 TO3PML

282870
17,00 BYN
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,5 В Максимальная рабочая температура +150 °C Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 2 В Длина 15.9мм Transistor Configuration Одинарный Максимальное напряжение коллектор-база 500 В Производитель STMicroelectronics Максимальное напряжение К-Э...

В этой категории 16 товаров:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.