43 пф

43 пф

Артикул: 261283
0,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
261283
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2Т506Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т506Б Au

301012
10,80 BYN
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т506А, 2Т506Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзистор...
View
Транзистор КТ640В-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ640В-2 Au

301472
5,40 BYN
Транзисторы КТ640В-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1...7,2 ГГц в схеме ОБ в составе гибридных интегральных микросхем.
View
Транзистор П416А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор П416А Ni

301374
0,80 BYN
Транзисторы П416, П416А, П416Б германиевые сплавные p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводится на боковой...
View
Транзистор 2Т3164А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3164А Au

300958
21,60 BYN
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р высокочастотные транзисторы 2T3164A и структуры2Т3164А-5 предназначены для применения в усилительных и импульсных устройствах радиоэлектронной аппаратуры.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т3164А) и в бескорпусном исполнении на пластине,кристаллы неразделенные (2Т3164А-5).Маркировка...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2SC1061C
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1061C

303461
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC1162
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1162

303467
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2SC1061C
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1061C

303461
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SA984 (F,K)
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA984 (F,K)

264656
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.