2Д219Б
Диоды 2Д219Б кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц.
Используются в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Уважаемые покупатели!
* Цены могут отличаться от указанных на сайте.** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
Основные технические характеристики диода 2Д219Б:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 20 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 250 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,6 В при Inp 10 А;
• fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц.