Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8116А

Транзисторы КТ8116А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8127А

259828

10,80 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 56 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8131А

301512

0,56 BYN

Транзисторы КТ8131А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в низкочастотных усилителях мощности и ключевых схемах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8131Б

301513

1,00 BYN

Транзисторы КТ8131Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в низкочастотных усилителях мощности и ключевых схемах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8131В

301514

0,72 BYN

Транзисторы КТ8131В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в низкочастотных усилителях мощности и ключевых схемах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8136А

259829

5,00 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8138Б

301515

1,40 BYN

КТ8138Б транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный, предназначен для применения в усилителях и импульсных устройствах.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8138В

301516

2,00 BYN

транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный, предназначен для применения в усилителях и импульсных устройствах.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8140А1

301517

0,80 BYN

КТ8140А1 транзистор

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8144Б

301518

30,00 BYN

кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, во вторичных источниках электропитания.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Маркировка нанесена цифро-буквенным...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8149А1

301519

2,60 BYN

КТ8149А1 Транзистор кремниевый, биполярный, структуры n-p-n, высоковольтный, переключательный. Предназначен для использования в линейных, импульсных схемах, а также в другой радиоэлектронной аппаратуре широкого применения.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Б

301520

0,40 BYN

Транзисторы КТ814Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.

Показано 853-864 из 1135