Транзисторы отечественные

Транзистор КТ626Е

Транзисторы КТ626В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и генераторах коротковолнового диапазона и переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ629А-2

301462

1,20 BYN

Транзисторы КТ629А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательныебескорпусные на керамическом кристаллодержателе с защитным покрытием с гибкими выводами.Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ630В Nib

301463

5,40 BYN

Транзисторы КТ630В кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ630Д

312798

7,00 BYN

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ630Е

259494

8,00 BYN

Транзисторы КТ630Е кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.Транзисторы КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е выпускаются в металлостеклянном корпусе...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ634Б-2 Au

301464

5,40 BYN

Транзистор КТ634Б-2 - кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ.Предназначен для применения в аппаратуре связи, а также другой радиоэлектронной аппаратуре.

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ637А-2 Au

301465

3,80 BYN

Транзисторы КТ637А-2, - кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Предназначены для применения в режимах усиления мощности, генерации, ограничения мощности и преобразования частоты в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры специального назначения. Изготавливаются в бескорпусном исполнении. Масса не...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ637Б-2 Au

301466

4,20 BYN

Транзистор КТ637Б-2 - кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Предназначены для применения в режимах усиления мощности, генерации, ограничения мощности и преобразования частоты в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры специального назначения. Изготавливаются в бескорпусном исполнении. Масса не...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ639А

301467

1,00 BYN

Транзисторы КТ639А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ.Транзисторы КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж,...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ639В

259495

0,92 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ639Г

301468

1,00 BYN

Транзисторы КТ639Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ.Транзисторы КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж,...

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ639Ж

301469

0,60 BYN

Транзисторы КТ639Ж кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ. Транзисторы КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж,...

Показано 781-792 из 1135