Транзисторы

Биполярные транзисторы

Транзистор BD678

275150

2,64 BYN

Корпус TO-126Вес 0,8 гPNP, 60V, 4A, 40W, 1MHz, 150*C

Биполярные транзисторы

Транзистор BD678G

303974

2,20 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор BD679

275156

4,20 BYN

NPN, 80V, 4A, 40W, 1MHz, 150*C

Биполярные транзисторы

Транзистор BD680

275157

1,36 BYN

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -4 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750 TO126

Биполярные транзисторы

Транзистор BD681

275158

1,96 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор BD682

275159

1,36 BYN

Корпус TO-126Вес 0,8 гPNP D Darl, 100V, 4A, 20W

Биполярные транзисторы

Транзистор BD839

275160

2,16 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор BD901

303743

11,20 BYN

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750 Корпус: TO-220

Биполярные транзисторы

Транзистор BD909

275161

3,80 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...

Биполярные транзисторы

Транзистор BD910

303975

16,00 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор BD911

293074

2,52 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор BD912

274222

3,72 BYN

PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)

Показано 3241-3252 из 6887