Транзисторы

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208Б Au

Транзисторы 2Т208Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЮФ3.365.035 ТУ.

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208В Ni

300762

2,00 BYN

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208Г Au

300763

4,80 BYN

Транзисторы 2Т208Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208Г Ni

300764

2,20 BYN

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208Д Au

300765

4,80 BYN

Структура pnp, Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 30, Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 30, Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.15

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208Е Ni

300766

4,80 BYN

Транзисторы 2Т208Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЮФ3.365.035 ТУ.

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208Е1

300767

0,60 BYN

КТ208Е-1 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p. <br> Предназначен для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208Ж Ni

300768

1,60 BYN

Транзисторы 2Т208Ж кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЮФ3.365.035 ТУ.

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208И1

300769

0,60 BYN

Транзисторы 2Т208И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЮФ3.365.035 ТУ.

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208К Au

300770

4,00 BYN

Транзисторы 2Т208К кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЮФ3.365.035 ТУ.

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208К Ni

300771

2,80 BYN

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208М Au

300772

5,40 BYN

Транзисторы 2Т208М кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЮФ3.365.035ТУ.

Показано 2233-2244 из 6885