Транзистор PMBT3906

Транзистор PMBT3906

Артикул: 311614

Наименование производителя: PMBT3906

Маркировка: 2A_p2A_t2A_W2A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: SOT23

0,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
311614

Просмотренные товары

Транзистор 2SD2059
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2059

304513
27,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

В этой категории 16 товаров:

Транзистор MJE13007D to220 (E13007-2 с диодом)
Биполярные транзисторы

Транзистор MJE13007D to220 (E13007-2 с диодом)

293313
4,00 BYN
Наименование производителя: MJE13007D Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A...
Транзистор 2SC5243
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5243

304118
37,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор 2SC3417
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3417

312490
3,36 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 7 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 70 МГц Корпус: TO-126
Транзистор TIP111
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP111

275804
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC3460
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3460

275381
8,24 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BU2527DX orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2527DX orig

275229
7,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Статический коэффициент передачи тока...
Транзистор 2SC4294
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4294

275419
6,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10...
Транзистор 2SC1006K
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1006K

312454
2,24 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92MOD
Транзистор 2SC2188
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2188

303565
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD947F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD947F

304647
9,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 130 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4
Транзистор 2N2221
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N2221

259987
2,00 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 75 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Граничная частота коэффициента передачи тока:...
Транзистор 2SC3265
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3265

303750
2,80 BYN
Маркировка: EO_EY Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A Предельная температура...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.