Транзистор MJE1302

Транзистор MJE1302

Артикул: 304860
  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -260 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -260 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -15 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 75 до 150
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
  • Корпус: TO-264
0,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304860

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC5244
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5244

275465
11,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор 2SC4004
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4004

303881
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Транзистор 2SC5302
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5302

260175
18,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3399
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3399

264759
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5219
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5219

304113
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25 Корпус транзистора: TO3PFM
Транзистор 2SC3884A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3884A

275399
4,44 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5612
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5612

304156
21,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BF245C
Биполярные транзисторы

Транзистор BF245C

275172
2,00 BYN
Тип транзистора: FET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.025 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 1.1 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 100 Ohm Тип корпуса: TO92
Транзистор 2SC3995
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3995

303879
20,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5636
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5636

304159
9,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор A1358
Биполярные транзисторы

Транзистор A1358

274993
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 120 nC Время нарастания (tr): 25...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.