Транзистор 2N4410

Транзистор 2N4410

Артикул: 303482

СтруктураnpnМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база120 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер80 ВМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база5 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора250mAМаксимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)310mWСтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером60/400Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером60MHzЁмкость коллекторного перехода12 пФПредельная температура PN-перехода135 °СКорпус транзистораTO92

0,56 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303482

Просмотренные товары

Микросхема 142ЕН1А Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 142ЕН1А Au

299532
13,00 BYN
 представляют собой стабилизаторы напряжения компенсационного типа с регулируемым выходным напряжением положительной полярности и током нагрузки 150 мА.Имеют защиту от короткого замыкания и перегрузок и схему дистанционного выключения внешним сигналом. Для регулировки выходного напряжения применяется внешний делитель.Содержат 24 интегральных...
Транзистор IRG4PH40UD to-247ac
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PH40UD to-247ac

266567
40,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15A Максимальная температура перехода (Tj): 175
Нихром Х20Н80 0,1 мм 520 г ( 8253 м )
Нихром Х20Н80 на катушках

Нихром Х20Н80 0,1 мм 520 г ( 8253 м )

19685
516,00 BYN
Термостойкий прецизионный сплав нихром. Он применяется при производстве проволоки с высоким показателем электрического сопротивления. Прокат предназначен для монтажа печного оборудования, изготовления нагревательных элементов. Каждому температурному режиму соответствует проволока определённой марки. Отличие марок нихрома друг от друга – в долях легирующих...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC4137
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4137

304008
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Транзистор 2SB1134
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1134

275059
2,60 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V Ток коллектора, не более: -5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 280 Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
Транзистор 2SC4460
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4460

292874
9,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Граничная частота коэффициента передачи...
Транзистор HGTG12N60A4
Биполярные транзисторы

Транзистор HGTG12N60A4

311650
41,60 BYN
Наименование: HGTG12N60A4D Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 54 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Тип корпуса: TO247
Транзистор 2SC5299
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5299

292893
10,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Статический коэффициент передачи тока...
Транзистор 2SA2151A to3p
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA2151A to3p

292812
23,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
Транзистор 2SA1535
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1535

303008
7,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 130 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC4029
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4029

303882
15,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор A1358
Биполярные транзисторы

Транзистор A1358

274993
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 120 nC Время нарастания (tr): 25...
Транзистор BCX71G
Биполярные транзисторы

Транзистор BCX71G

303728
0,12 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В Напряжение коллектор-база, не более: -45 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 120 до 220 Корпус: SOT-23
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.