Транзистор 2N5583 Ni

Транзистор 2N5583 Ni

Артикул: 303477
Структура npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база 3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом) 1W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 0
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 1.3GHz
Ёмкость коллекторного перехода 5 пФ
Предельная температура PN-перехода 200 °С
Корпус транзистора TO39
84,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303477

В этой категории 16 товаров:

Транзистор D1455
Биполярные транзисторы

Транзистор D1455

275601
8,56 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12 TO3P
Транзистор 2SC3964
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3964

303875
11,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор MJF15031 to220 изол
Биполярные транзисторы

Транзистор MJF15031 to220 изол

293321
11,60 BYN
Наименование производителя: MJF15031 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A...
Транзистор 2SA564A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA564A

303487
5,60 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В Напряжение коллектор-база, не более: -45 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 65 до 700 Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц Корпус:...
Транзистор 2SC9012 (S9012) pnp
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC9012 (S9012) pnp

264785
0,24 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB1588
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1588

303188
21,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55...
Транзистор 2SB873
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB873

303259
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 165...
Транзистор 2SC4722
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4722

275441
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SC1971
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1971

303522
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SA1727
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1727

303029
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 280...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.