Транзистор 2N5583 Ni

Транзистор 2N5583 Ni

Артикул: 303477
Структура npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база 3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом) 1W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 0
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 1.3GHz
Ёмкость коллекторного перехода 5 пФ
Предельная температура PN-перехода 200 °С
Корпус транзистора TO39
84,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303477

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SD773
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD773

303647
0,96 BYN
СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В20Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В17Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2Статический коэффициент передачи тока h21э мин135Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц50Максимальная рассеиваемая мощность...
Транзистор 2SC3851
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3851

260148
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Транзистор 2SC4554
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4554

304047
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Транзистор 2SB1097-O
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1097-O

275058
2,40 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V Ток коллектора, не более: -7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 120
Транзистор 2SC3852
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3852

264766
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Транзистор 2SD2494
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2494

304546
18,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Граничная частота коэффициента передачи...
Транзистор 2SB1186
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1186

292818
2,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.