Транзистор S2000AFI

Транзистор S2000AFI

Артикул: 275788

NPN POWER TRANSISTOR 1500V 8A 50W 0.7US

ISOWATT218

11,84 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275788
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 574УД2В Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 574УД2В Au

300545
10,80 BYN
Микросхемы изготовлены по совмещенной биполярно-полевой технологии (BIFET).Микросхемы 574УД2В представляют собой сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением.Применяются для создания активных фильтров, повторителей, интеграторов, суммирующих усилителей, схем дискретизации, входных усилителей датчиков различных...
Микросхема 533ЛП3 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 533ЛП3 Au

300304
7,00 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии.Микросхема 533ЛП3 представляет собой 3 логических элемента мажоритарной логики два из трех 2-2-2-И-3ИЛИ-НЕ.Предназначены для применения в аппаратуре специального назначения.Содержит 75 интегральных элементов.Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,65 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Рабочая...
Транзистор A1746
Биполярные транзисторы

Транзистор A1746

275012
9,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Транзистор IRG4BC30F
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC30F

276494
8,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17A Максимальная температура перехода (Tj): 150

В этой категории 16 товаров:

Транзистор A103M
Биполярные транзисторы

Транзистор A103M

274968
0,40 BYN
TO92 Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-PNP Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная...
Транзистор 2N5609
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5609

290172
0,20 BYN
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C Граничная...
Транзистор BDW84D to218
Биполярные транзисторы

Транзистор BDW84D to218

293075
18,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BD435
Биполярные транзисторы

Транзистор BD435

293073
3,72 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SA970GR
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA970GR

303080
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5521
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5521

275522
6,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 13 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD600 to126
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD600 to126

292940
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SD2144
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2144

304527
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Транзистор 2SB1016A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1016A

303121
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB1548
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1548

275081
3,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Граничная частота коэффициента передачи тока...
Транзистор 2SC3192Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3192Y

303679
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120 Корпус...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.