Транзистор 2SC5679

Транзистор 2SC5679

Артикул: 275534

Корпус TO-220
Вес 2 г
NPN 1500V,15A,50W

8,24 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275534
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор BF980
Биполярные транзисторы

Транзистор BF980

275190
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 18 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.03 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 3 pf Сопротивление сток-исток...
View
Микросхема 564ИМ1
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ИМ1

264338
12,00 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП.Микросхемы 564ИМ1 представляют собой полный четырехразрядный сумматор со сквозным переносом.Содержат 243 интегральных элемента.Корпус типа 402.16-32, масса не более 1,5 г.Технические условия: бК0.347.064-03ТУ.Рабочая температура: -60...+125°С.Ток потребления: не более 0,6 мА.Напряжение питания: 4,2-13,5 В.
View
Транзистор J377
Полевые транзисторы

Транзистор J377

276552
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 11033
Биполярные транзисторы

Транзистор 11033

274926
38,64 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор D1729
Биполярные транзисторы

Транзистор D1729

275619
7,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8 TO3P
View
Транзистор 2SA1444
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1444

312444
16,00 BYN
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60 Корпус транзистора: TO220
View
Транзистор BD901
Биполярные транзисторы

Транзистор BD901

303743
11,20 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750 Корпус: TO-220
View
Транзистор 2SC1969
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1969

303520
91,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
View
Транзистор D2396
Биполярные транзисторы

Транзистор D2396

275656
2,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC2682-O
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2682-O

312469
1,68 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 180 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц Корпус: TO-126
View
Транзистор D361
Биполярные транзисторы

Транзистор D361

275688
1,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1403
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1403

304300
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3466
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3466

303772
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.