Транзистор 2SC5386

Транзистор 2SC5386

Артикул: 275479

Корпус TO-3PF Вес 8 г NPN hi-res, 1500/600V, 8A, 50W, 1,7MHz

8,00 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275479
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор AO3409
Полевые транзисторы

Транзистор AO3409

311829
2,60 BYN
Маркировка: A92T Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор 2SC1755 TO220
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1755 TO220

303503
13,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор BF821T3 pnp 300V 50mA 250mW hFE=50 SOT-23
Каталог

Транзистор BF821T3 pnp 300V 50mA 250mW hFE=50 SOT-23

303804
0,52 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В Напряжение коллектор-база, не более: -300 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50 Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц Корпус: SOT-23
Транзистор D1414
Биполярные транзисторы

Транзистор D1414

275595
3,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000 TO220F
Транзистор 2SC5332
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5332

275471
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD5702
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD5702

304612
16,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Граничная частота коэффициента передачи...
Транзистор BC337-16
Биполярные транзисторы

Транзистор BC337-16

303663
0,12 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 250 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92
Транзистор 2SC1674 TO92
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1674 TO92

275293
2,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор TIP106
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP106

275802
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор BF869S
Биполярные транзисторы

Транзистор BF869S

293077
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BC846BW SOT-23-3
Каталог

Транзистор BC846BW SOT-23-3

303696
1,00 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 65 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.2 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 450 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: SOT-323
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.