Транзистор 2SC3309

Транзистор 2SC3309

Артикул: 275367

Корпус TO-220F
Вес 2,9 г
NPN 500V, 2A, 20W

3,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275367
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SA933
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA933

303070
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140...
Транзистор 2SB1010
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1010

303118
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3749
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3749

275394
3,80 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 500 В Напряжение коллектор-база, не более: 800 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 50 Граничная частота коэффициента передачи тока: 18 МГц TO220F
Транзистор 2SD1815
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1815

304391
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB1184
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1184

275062
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
Транзистор 2SD1525
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1525

304323
46,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2N5583 Ni
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5583 Ni

303477
84,00 BYN
Структура npn Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база 3 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500mA Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.